存算一体:打破冯·诺依曼瓶颈的 AI 芯片新范式
建立存算一体的完整知识框架:原理、架构、器件与挑战。
沿着"器件物理 → 存算电路 → 智能系统"的完整链路,探索自旋存算一体 AI 加速器的科学问题与工程实现。
传统冯·诺依曼架构中,"算"与"存"分离,数据在处理器与存储器之间反复搬运, 带来严重的能耗与延迟瓶颈。存算一体(Compute-in-Memory, CIM)直接在存储阵列内部完成计算, 是后摩尔时代突破"内存墙"的关键路径之一。
我的工作聚焦模拟存内计算:利用交叉阵列中器件的电导表示网络权重, 以输入电压激励、基尔霍夫电流定律天然完成矩阵-向量乘法;同时研究数字存算、 近存计算等不同技术路线,面向实际应用场景做架构级对比与取舍。
自旋电子器件以电子自旋而非电荷作为信息载体:非易失、零静态功耗、超快翻转、超高耐久, 且与 CMOS 后道工艺兼容。SOT-MRAM 通过自旋霍尔效应产生纯自旋流写入磁矩, 读写解耦的结构从根本上缓解了传统 STT-MRAM "读扰动"与"耐久性"之间的矛盾。
我从电路设计师的视角出发,与器件团队协作:建立面向宏单元仿真的 紧凑模型,研究热稳定性与写入电流的权衡、 器件间变异(D2D)与周期间变异(C2C)的统计分布,以及多值存储对计算精度的增益。
神经网络推理的本质是大规模矩阵-向量乘法,天然契合存算一体的计算范式。 我从宏单元(Macro)做起:阵列拓扑、行/列驱动、 灵敏放大器、ADC 与写驱动电路,逐步构建完整的加速器系统。
同时关注算法-电路协同设计:量化感知训练、 器件噪声感知训练、网络到阵列的映射与调度优化,让软件栈充分利用硬件的物理特性, 也帮助硬件设计规避算法的盲区。
自旋存算一体芯片的核心吸引力(指标为典型量级,视具体工艺与设计而定)
用博客文章把研究方向讲清楚
建立存算一体的完整知识框架:原理、架构、器件与挑战。
深入三端结构、读写解耦机制与 CIM 宏单元设计。
ADC 开销、器件非理想性与系统级对策。